在50時代前,感應(yīng)加熱設(shè)備關(guān)鍵有:工頻感應(yīng)熔煉爐,電磁倍頻器,中頻發(fā)電機組和電子管震蕩器式高壓電源。50時代末可控硅的出現(xiàn)則意味著固體集成電路工藝為關(guān)鍵的當代電力電子學的剛開始。硅晶閘管的出現(xiàn)促進了感應(yīng)力熱電源及中頻感應(yīng)加熱設(shè)備運用的迅猛發(fā)展。


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迄今,在高頻(500Hz~10kHz)范圍之內(nèi),可控硅中頻感應(yīng)加熱設(shè)備設(shè)備已替代了傳統(tǒng)式的中頻發(fā)電機組和電磁感應(yīng)倍頻器。在高頻率范圍之內(nèi),因為晶閘管自身電源開關(guān)特點等主要參數(shù)的限定,給研發(fā)該頻率段的開關(guān)電源產(chǎn)生了挺大的技術(shù)水平,它務(wù)必根據(jù)更改電源電路拓撲結(jié)構(gòu)才有將會保持。


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70時代末到80時代初,當代半導(dǎo)體材料微型機集成化生產(chǎn)加工技術(shù)性與輸出功率半導(dǎo)體技術(shù)的融合,為開發(fā)設(shè)計新式輸出功率集成電路工藝出示了標準,陸續(xù)出現(xiàn)了一大批全控型電力電子技術(shù)集成電路工藝,巨大地促進了電力電子學發(fā)展趨勢,為固態(tài)超音頻、高頻電源、中頻感應(yīng)加熱設(shè)備的研發(fā)出示了堅實的基礎(chǔ)。


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1983年IGBT的面世進-步促進了感應(yīng)加熱設(shè)備的發(fā)展趨勢，IGBT綜合性了MOS和雙極晶體管的優(yōu)勢,具備通態(tài)壓減少,電源開關(guān)速度更快,易驅(qū)動器等優(yōu)勢,自1988年處理了擎住難題后,功率髙速IGBT己變成諸多中頻感應(yīng)加熱設(shè)備的元器件,頻率達到100kHz輸出功率達到MW級開關(guān)電源已可保持。

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